職位描述
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崗位職責:
1. 工作地點:長沙、嘉興或者上海;
2. 進行IGBT,MOSFET,FRD等功率半導體器件的新產品研發工作,包括工藝仿真、結構設計、工藝流程制定;
3. 新產品開發和項目管理計劃的制定及實施;
4. 新產品、新技術的跟進和研究。
任職要求:
1. 微電子與固體電子、半導體器件與物理等相關專業,具有扎實的物理基礎和半導體器件基礎;
2. 碩士/博士學歷,或者本科學歷具有功率半導體器件相關工作經驗3年以上,熟悉IGBT,MOSFET,FRD等功率半導體器件的開發流程;
3. 具有Fab實際經驗和上述功率半導體器件的實際開發/生產經驗者優先;
4. 熟悉器件仿真(TCAD Simulation)和 版圖設計(Layout Design);
5. 具有較強的溝通能力、獨立思考能力及團隊協作能力;
6. 學習能力較強,具有創新精神。
1. 工作地點:長沙、嘉興或者上海;
2. 進行IGBT,MOSFET,FRD等功率半導體器件的新產品研發工作,包括工藝仿真、結構設計、工藝流程制定;
3. 新產品開發和項目管理計劃的制定及實施;
4. 新產品、新技術的跟進和研究。
任職要求:
1. 微電子與固體電子、半導體器件與物理等相關專業,具有扎實的物理基礎和半導體器件基礎;
2. 碩士/博士學歷,或者本科學歷具有功率半導體器件相關工作經驗3年以上,熟悉IGBT,MOSFET,FRD等功率半導體器件的開發流程;
3. 具有Fab實際經驗和上述功率半導體器件的實際開發/生產經驗者優先;
4. 熟悉器件仿真(TCAD Simulation)和 版圖設計(Layout Design);
5. 具有較強的溝通能力、獨立思考能力及團隊協作能力;
6. 學習能力較強,具有創新精神。
工作地點
地址:上海嘉定區外岡清能路85號
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職位發布者
周思佳HR
上海道之科技有限公司

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電子技術·半導體·集成電路
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100-199人
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股份制企業
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清能路85號