發布：2023-09-16 15:03:33 關注：34299次
一、課題組簡介
實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關的基礎研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領域的“卡脖子”技術難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創中心雙聘教授2人、科創百人5人、博士后和技術開發專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國際期刊發表sci論文40余篇，申請國家發明專利70余項，其中授權12項，申請實用新型專利30余項，其中授權17項。
主要負責人簡介：王蓉，求是科創學者（“科創百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室。長期從事寬禁帶半導體中的雜質與缺陷研究。主持國家自然科學基金青年科學基金項目、中國博士后科學基金面上項目、科學挑戰計劃專題等科研項目，作為學術骨干參與浙江省“尖兵”“領雁”研發攻關計劃。發表學術論文50余篇（其中第一/通訊作者24篇），獲授權專利12項。
二、重點引進方向:
碳化硅基外延結構的制備及應用：
1.碳化硅同質外延及表征測試；
2.碳化硅外延薄膜的生長動力學研究；
3.基于碳化硅同質外延薄膜的電子、光學器件研究。
碳化硅中雜質與缺陷研究：
1.碳化硅的摻雜物理；
2.碳化硅中缺陷（如點缺陷、位錯、層錯、晶界）的產生及演變機理；
3.碳化硅中雜質與缺陷的電子、光學性質；
4.半導體單晶生長、加工及相關過程的分子動力學仿真。
三、申請條件
1.近三年內已獲得或即將獲得物理、材料、微電子、光電等相關專業的博士學位；年齡不超過35周歲；
2.品學兼優，身心健康，具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；
3.近三年內以第一作者或通訊作者發表2篇以上高質量研究論文或專利；
4.能夠全職從事博士后工作。
四、待遇及保障條件
1.根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；
2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助；
3.提供一流的實驗與科學研究條件；
4.協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房；
5.工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位；
6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。
五、申請材料
1.個人簡歷；
2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；
3.博士學位論文。
申請人將以上材料電子版發送至科創中心人力資源部郵箱：rong_wang@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“王蓉課題組+博士后+姓名+今日招聘網jrzp.com”標明。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】
六、聯系方式
聯系人：徐老師
聯系電話：0571-82491973
地址：浙江省杭州市蕭山區建設三路733號
【1】凡本網注明"來源："的所有文字、圖片和音視頻稿件，版權均屬于，轉載請必須注明，違反者本網將追究相關法律責任。
【2】本網轉載并注明自其它來源的作品，是本著為求職者傳遞更多信息之目的，并不代表本網贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時，必須保留本網注明的作品來源，并自負版權等法律責任。
【3】如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發表之日起一周內與本網聯系。
其他教職工招聘
